TF1010 Bubuk Nanotube Karbon Berdinding Tunggal

TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, dan cacat karbon amorf dinding tabung sangat rendah. Indikator inti yang dibedakan: kemurnian efektif tabung karbon berdinding tunggal lebih besar dari atau sama dengan 98,5%, jauh lebih tinggi dari kemurnian 80% TF1000. Abu logam dikontrol gradiennya hingga mencapai tingkat seratus ppm, pengotor sisa katalis sangat berkurang, yang pada dasarnya menghindari kebocoran perangkat semikonduktor, reaksi samping baterai, dan masalah penyimpangan sinyal penginderaan.

Struktur tubular mulus dari graphene lapisan tunggal menggabungkan konduksi elektron balistik, elastisitas sangat tinggi, dan luas permukaan spesifik sangat besar (500–1000 m²/g). Jumlah penambahan perkolasi bisa serendah 0,03% untuk membentuk jaringan konduktif domain penuh, cocok untuk transistor film tipis proses lanjutan 7 nm dan di bawahnya, sirkuit logika fleksibel, anoda silikon-karbon dengan kemurnian tinggi, pelindung ringan militer dan ruang angkasa, biosensing jejak sensitivitas sangat tinggi, dan skenario ketat presisi tinggi lainnya.

Pabrik ini dilengkapi dengan seperangkat peralatan pengujian khusus material dengan kemurnian tinggi termasuk TEM resolusi tinggi, spektroskopi Raman, termogravimetri TGA, dan ICP-OES. Setiap batch dikeluarkan dengan serangkaian laporan pengujian khusus lengkap mengenai konten satu dinding, pengotor logam, diameter tabung, dan panjang. Hanya sampel dengan kemurnian tinggi tingkat gram dan batch percontohan tingkat kilogram yang diberikan kepada lembaga penelitian, perusahaan semikonduktor, dan produsen baterai solid-state terkemuka. Bubuk termodifikasi dengan kemurnian tinggi dengan gugus amino dan karboksil dapat disesuaikan untuk beradaptasi dengan dispersi air/pelarut organik. Satu set lengkap laporan khusus pengotor ICP RoHS, REACH, kemurnian tinggi, dan lembar data keselamatan MSDS telah lengkap, memenuhi standar audit penerimaan material yang ketat untuk impor dan ekspor militer dan semikonduktor.

Pengemasan: Kantong vakum aluminium foil, tas komposit PE, tas ton, dapat disesuaikan

Pada tahun 2022, perusahaan menginvestasikan 50 juta RMB untuk mendirikan "Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd." di Heze, Provinsi Shandong, dengan luas bangunan 4.000 meter persegi. Sekarang menjadi perusahaan teknologi tinggi nasional dengan lebih dari sepuluh paten independen.

Pusat produksi dan penelitian dan pengembangan tahap kedua direncanakan akan dibangun pada tahun 2027. Perusahaan ini telah lulus sertifikasi sistem mutu internasional ISO9001 dan telah membentuk pusat manufaktur bahan nano dan layanan teknis canggih yang mencakup seluruh proses operasi, penelitian dan pengembangan, produksi percontohan, dan manufaktur. Saat ini, ia memiliki jalur produksi lengkap untuk bubuk karbon nanotube, bubur karbon nanotube, masterbatch karbon nanotube, serat karbon nanotube, dan film karbon nanotube.

Kami memiliki pengujian dan sertifikasi profesional. Untuk tabung nano karbon berskala nano, Teknologi Tanfeng menyediakan data karakterisasi untuk berbagai model, seperti gambar SEM, gambar AFM, gambar HRTEM, spektroskopi Raman, dan pola difraksi bubuk sinar-X.

Kemurnian dinding tunggal Lebih besar dari atau sama dengan 98,5%, pengotor yang sangat rendah dan kandungan tabung lain-lain, beradaptasi dengan persyaratan rasio nyala/mati perangkat semikonduktor

Dibandingkan dengan kemurnian dinding tunggal TF1000 yang hanya sebesar 80%, TF1010 menghilangkan tabung karbon berdinding banyak dan partikel karbon amorf melalui pemurnian multi-tahap, dengan pengotor fase lain-lain berjumlah kurang dari 1,5%. Ketika digunakan dalam transistor efek medan film tipis, rasio hidup/mati perangkat meningkat lebih dari 10 kali lipat, tanpa kebocoran atau distorsi sinyal yang disebabkan oleh tabung lain-lain logam, beradaptasi dengan penelitian dan pengembangan 7 nm dan di bawahnya sirkuit terpadu berbasis karbon canggih.

Tersedia tiga tingkat abu logam ultra-rendah, yang sepenuhnya memecahkan masalah kegagalan migrasi ion logam jejak

Memberikan tiga spesifikasi abu:<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.

1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >Tabung murni ultra-panjang 100 μm, pengisian sangat rendah tanpa menghalangi transmisi cahaya

Rasio aspek ultra-tinggi tingkat sepuluh ribu, jumlah penambahan konduktif serendah 0,03%, dosis pengisi dikurangi 30% lagi dibandingkan dengan TF1000 untuk efek konduktif yang sama. Diameter tabung jauh lebih kecil dari panjang gelombang cahaya tampak, menyiapkan film konduktif transparan tanpa kabut dan transmitansi tinggi, beradaptasi dengan produksi massal layar lipat dan elektroda transparan fotovoltaik.

Ultra-high crystallinity G/D >50, sangat sedikit cacat struktural dinding tabung, stabilitas siklus elektrokimia dimaksimalkan

Dinding tabung graphene dengan cacat rendah mengurangi reaksi samping antarmuka elektrolit. Ketika digunakan dalam anoda silikon-karbon dan baterai solid-state, baterai ini dapat menekan penebalan film SEI secara terus-menerus, dengan peningkatan siklus hidup lebih dari 35% dibandingkan dengan TF1000 berdinding tunggal dasar, beradaptasi dengan baterai daya kendaraan penumpang kelas atas yang tahan lama.

Dapat memisahkan tabung karbon berdinding tunggal semikonduktor secara terarah, substrat inti untuk chip fleksibel berdaya rendah

Bahan baku berdinding tunggal murni dengan kemurnian tinggi memfasilitasi pemisahan sentrifugasi gradien kepadatan berikutnya, menghasilkan sebagian besar tabung nano karbon semikonduktor berdinding tunggal dengan mobilitas pembawa tinggi dan konsumsi daya perangkat yang sangat rendah, menjadikannya bahan baku inti untuk sirkuit logika berdaya rendah fleksibel generasi berikutnya dan chip penginderaan mikro.

Luas permukaan spesifik yang sangat besar 500–1000 m²/g, penangkapan molekul jejak dengan sensitivitas sangat tinggi

Situs aktif elektrokimia yang sangat besar, dengan kemampuan adsorpsi dan pengenalan gas, protein biologis, dan jejak molekul logam berat jauh melebihi TF1000, beradaptasi dengan biosensor diagnostik medis dan probe deteksi presisi jejak polutan lingkungan.

Sistem kemurnian tinggi yang sepenuhnya sesuai untuk militer dan kedirgantaraan, penguatan struktural terintegrasi konduktif ringan dan konduktif termal

Formulasi dengan pengotor rendah dan tidak menyebabkan pengendapan memenuhi standar penerimaan komponen elektronik dirgantara dan militer. Pengisian yang sangat rendah dapat mencapai tiga efek yaitu konduktivitas permanen, pelindung elektromagnetik, dan penguatan struktural, sehingga sangat mengurangi bobot komponen satelit dan pesawat terbang.

1. Proses Lanjutan Semikonduktor Berbasis Karbon, Transistor Efek Medan Film Tipis

Sirkuit terintegrasi proses 7 nm dan di bawahnya, chip logika fleksibel, sirkuit penginderaan mikro berdaya rendah; kemurnian dinding tunggal yang sangat tinggi memastikan rasio hidup/mati transistor yang tinggi dan kebocoran yang rendah, menggantikan bahan berbasis silikon tradisional untuk penelitian dan pengembangan elektronik mikro-nano era pasca-Moore.

2. Bahan Komposit Pelindung Konduktif Ringan dengan Kemurnian Ultra Tinggi Militer/Dirgantara

Rumah pelindung elektromagnetik ringan satelit, pembuangan panas pesawat dan panel terintegrasi konduktif, elektroda perangkat penyimpanan energi militer; pengotor logam yang rendah memenuhi standar operasi komponen militer yang stabil di orbit dalam jangka panjang.

3. Anoda Silikon-Karbon Kelas Atas, Baterai Daya Sulfida Semua Padat

Aditif konduktif yang didedikasikan untuk anoda silikon-karbon untuk elektronik konsumen kelas atas dan baterai daya kendaraan penumpang jarak jauh; kotoran ultra-rendah menekan self-discharge sel, tabung karbon ultra-panjang menyangga ekspansi volume partikel silikon, sangat memperpanjang umur siklus.

4. Film Konduktif Transparan Fleksibel Transmisi Tinggi, Panel Layar OLED Lipat

Menggantikan oksida timah indium ITO yang langka, menyiapkan film konduktif transmisi tinggi bebas kabut, beradaptasi dengan layar sentuh yang dapat dilipat, elektroda EKG medis yang dapat dipakai, dan pengumpul arus transparan sel fotovoltaik, dengan redaman resistansi di bawah 3% setelah seribu tikungan.

5. Sensor Jejak Biologis dan Lingkungan dengan Presisi Sangat Tinggi

Sensor deteksi protein medis, deteksi gas beracun jejak atmosfer, probe pemantauan logam berat jejak air; luas permukaan spesifik yang sangat besar memungkinkan pengenalan molekul jejak tingkat ppb, dengan sensitivitas deteksi yang lebih unggul daripada dinding tunggal dasar TF1000.

6. Proyek Penelitian Nanomaterial Kemurnian Ultra Tinggi Universitas Frontier

Sampel dengan kemurnian tinggi yang didedikasikan untuk penelitian dan pengembangan laboratorium berpresisi tinggi seperti pemisahan kiralitas dinding tunggal semikonduktor, mekanisme chip berbasis karbon canggih, mekanisme siklus panjang baterai solid-state, dan material komposit ringan dirgantara.

Q1: Apa perbedaan pemilihan inti antara TF1010 berdinding tunggal dengan kemurnian sangat tinggi dan TF1000 berdinding tunggal dasar, dan bagaimana sebaiknya chip semikonduktor memilih?

J: Kemurnian dinding tunggal TF1000 hanya lebih besar dari atau sama dengan 80%, cocok untuk anoda silikon-karbon, film konduktif fleksibel biasa, dan penelitian dan pengembangan dasar laboratorium konvensional; Kemurnian dinding tunggal TF1010 lebih besar dari atau sama dengan 98,5%, dengan abu logam serendah 100 ppm, dan sangat sedikit tabung lain-lain dan pengotor karbon amorf, khususnya untuk sirkuit terpadu semikonduktor, militer dan ruang angkasa, biosensing ultra-presisi tinggi, baterai solid-state kelas atas, dan skenario lain yang tidak menoleransi pengotor; untuk perangkat dengan stabilitas tinggi, kebocoran rendah, dan siklus panjang, TF1010 harus dipilih.

Q2: Skenario apa yang masing-masing diadaptasi oleh ketiga spesifikasi abu TF1010?

A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.

Q3: kemurnian dinding tunggal TF1010 sebesar 98,5%, berapa banyak peningkatan yang dihasilkannya pada rasio nyala/mati transistor?

J: Karena TF1000 mengandung sejumlah besar tabung bermacam-macam berdinding banyak, rasio nyala/mati transistor hanya 10³–10⁴; TF1010 memiliki sangat sedikit pengotor fase lain-lain, dan setelah pemisahan, rasio hidup/mati perangkat tabung karbon semikonduktor dapat mencapai di atas 10⁷, memenuhi persyaratan kinerja chip proses lanjutan.

Q4: Ketika TF1010 digunakan pada baterai solid-state, seberapa besar pengurangan self-discharge sel dibandingkan dengan TF1000?

J: Pengotor katalitik logam TF1010 sangat berkurang, penyimpanan suhu ruang sel solid-state, redaman kapasitas 30 hari berkurang sebesar 40%, dan siklus hidup ditingkatkan sebesar 35%, beradaptasi dengan produksi massal percontohan baterai solid-state jarak jauh untuk pembuat mobil.

Q5: Apakah bubuk TF1010 sulit untuk dibubarkan, dan dapatkah bubuk tersebut beradaptasi dengan litografi semikonduktor yang mendukung slurry?

A: Bubuk TF1010 Amino yang dimodifikasi dengan kemurnian tinggi dapat disesuaikan, beradaptasi dengan dispersi pelarut organik dengan pengotor rendah khusus litografi, tanpa jejak presipitasi logam yang mencemari wafer; perusahaan kami dapat menyediakan solusi proses dispersi dengan kemurnian tinggi geser rendah.

Q6: Untuk proyek militer dan semikonduktor ekspor, dapatkah TF1010 mengeluarkan laporan pengujian pengotor logam dengan kemurnian tinggi?

J: Setiap batch dilengkapi dengan lembar pengujian abu dengan kemurnian tinggi ICP-OES yang independen, yang secara tepat memberi label pada kandungan sisa berbagai logam katalis. Satu set lengkap dokumen RoHS, REACH, dan MSDS telah lengkap, memenuhi audit pihak ketiga untuk impor dan ekspor material militer dan semikonduktor.

Q7: Transmisi apa yang dapat dicapai TF1010 dalam menyiapkan film konduktif transparan? Apakah ada masalah kabut asap?

A: Transmisi film Lebih besar dari atau sama dengan 90%, kabut<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.

Tag populer: tf1010 bubuk karbon nanotube berdinding tunggal, Cina tf1010 produsen bubuk nanotube karbon berdinding tunggal, pemasok, pabrik, Pita Nanotube Karbon, iijima karbon nanotube, Nanotube karbon nyata, Swcnt, nanotube tungsten, Zigzag Nanotube