8618653007758
yongshun@tanfengcnt.com
idBahasa
susunan CNT

susunan CNT

Secara teori, lapisan atau penyerap hitam yang ideal akan mampu menyerap cahaya sepenuhnya pada rentang panjang gelombang broadband terlepas dari sudut datang atau polarisasi. Sebagian besar material alami menunjukkan pantulan spesifik, terutama karena komposisi dan strukturnya, sehingga menghasilkan indeks bias yang lebih tinggi dibandingkan indeks bias udara atau ruang hampa di sekitarnya.
Kirim permintaan

Array Karbon Nanotube (Array CNT)

Ikhtisar Produk

TANFENG Carbon Nanotube Arrays adalah bentuk revolusioner dari karbon nanotube di mana jutaan nanotube individu ditanam dalam kesejajaran vertikal yang sangat berorientasi pada substrat. Arsitektur unik ini membuka sifat anisotropik yang tidak dapat dicapai dengan bubuk CNT yang tersebar secara acak. Proses Deposisi Uap Kimia Katalitik (CCVD) milik kami memungkinkan kontrol yang tepat terhadap kepadatan, tinggi, dan kualitas tabung nano, menjadikannya bahan penyusun yang ideal untuk-elektronik generasi berikutnya, sistem manajemen termal, dan sensor canggih.

1. Informasi Dasar Produk

Bentuk Produk:​ Hutan tabung nano karbon yang lebat dan tersusun secara vertikal tumbuh pada berbagai substrat (Silikon, Kuarsa, Foil Logam, dll.).

Tipe Utama:​ Multi-Array Karbon Nanotube Berdinding (Array MWCNT), dengan spesifikasi opsional untuk Array Berdinding-Berdinding Sedikit dan-Berdinding Tunggal.

Ukuran Substrat Standar:​Dapat disesuaikan dari wafer 1cm x 1cm hingga 6 inci. Format yang lebih besar tersedia berdasarkan permintaan.

Fitur Utama:​ Properti anisotropik - properti berbeda secara signifikan sepanjang sumbu pelurusan versus tegak lurus terhadapnya.

2. Parameter Kinerja Inti

Tinggi Susunan:​ 10 µm hingga 2.000 µm (dapat disesuaikan dengan toleransi ±5%).

Kepadatan Wilayah:​ 10⁹ hingga 10¹¹ tabung/cm² (dapat dikontrol untuk menyesuaikan kepatuhan mekanis dan luas permukaan).

Diameter CNT:​ 5 nm hingga 50 nm (untuk MWCNT), dengan distribusi diameter sempit.

Kemurnian:​ > 99% Kemurnian Karbon (Residu katalis < 1%).

Stabilitas Termal:Stabil di udara hingga 450 derajat; dalam atmosfer inert hingga 2800 derajat.

3. Sifat Listrik (Volume & Resistivitas Permukaan)

Struktur yang selaras memberikan konduktivitas listrik terarah yang luar biasa.

Resistivitas Volume (Melalui-Bidang):​ Serendah10⁻³ Ω·cmsepanjang sumbu nanotube. Resistivitas rendah ini ideal untuk aplikasi yang memerlukan aliran arus vertikal, seperti melalui-silicon vias (TSVs) atau elektroda baterai.

Resistivitas Permukaan (Resistensi Lembaran):Dapat direkayasa dari< 10 Ω/sq to > 10⁶ Ω/sq, bergantung pada kepadatan array, tinggi, dan perlakuan-pasca pertumbuhan. Hal ini membuatnya cocok untuk membuat elektroda konduktif transparan dengan fleksibilitas tinggi.

4. Dispersibilitas & Penanganan

Penggunaan di-tempat:​ Array dirancang untuk digunakan langsung pada substrat pertumbuhan, sehingga menghilangkan kebutuhan-penyebaran ulang dan menjaga struktur selaras aslinya.

Kering-Dapat Dipindahtangankan:​ Array dapat dengan mudah dikeringkan-dipindahkan ke substrat target lainnya (misalnya polimer, logam, kaca) menggunakan teknik stempel standar, sehingga memungkinkan integrasi ke perangkat fleksibel dan hibrid.

Pemrosesan Solusi (Opsional):Berdasarkan permintaan, susunan dapat dicukur dan diproses menjadi bubur CNT isotropik dengan konsentrasi tinggi dengan dispersibilitas yang sangat baik untuk aplikasi pelapisan.

5. Sifat Fisik

Kekuatan Mekanik:​ Struktur yang selaras menunjukkan modulus elastisitas tinggi > 1 TPa (teoritis) dan kekuatan tekan yang luar biasa, berfungsi sebagai material seperti pegas yang kuat namun patuh.

Pemulihan Kompresi:​ Array dapat dikompresi hingga lebih dari 80% regangan dan dipulihkan secara elastis, menjadikannya sangat baik untuk digunakan sebagai interkoneksi konduktif yang dapat dikompresi atau peredam kejut.

Luas Permukaan Spesifik:​ 200 - 800 m²/g (tergantung pada diameter tabung dan jarak susunan), menyediakan permukaan yang luas untuk reaksi dan adsorpsi.

6. Skenario & Industri Aplikasi

Bahan Antarmuka Termal (TIM):​ Exploiting the ultra-high thermal conductivity (>1000 W/mK per tabung) di sepanjang sumbu untuk membuat bantalan termal berperforma tinggi untuk pendinginan CPU/GPU.

Perangkat Emisi Lapangan:​ Memanfaatkan ujung tajam tabung nano yang selaras untuk menghasilkan emisi elektron-tegangan rendah yang stabil dalam tabung sinar X-, layar, dan amplifier gelombang mikro.

Sensor Tingkat Lanjut:Luas permukaan yang tinggi dan respons listrik anisotropik menjadikannya ideal untuk sensor gas, kimia, dan biologi yang sangat sensitif.

Penyimpanan Energi:​ Digunakan sebagai perancah 3D untuk anoda baterai litium-ion dan elektroda superkapasitor, memfasilitasi transpor ion cepat dan penyimpanan muatan tinggi.

Mikroelektronika:​ Sebagai materi interposer baru untuk through{0}}silicon vias (TSVs) guna mengurangi penundaan RC di sirkuit terpadu 3D.

7. Prinsip Pengenalan

Mekanisme pertumbuhan didasarkan pada proses CCVD yang dioptimalkan secara cermat. Lapisan tipis katalis (misalnya Fe, Co) diendapkan pada substrat. Pada suhu tinggi (600-900 derajat ) dalam atmosfer gas yang mengandung karbon-(misalnya, C₂H₄), nanopartikel katalis menguraikan gas, dan atom karbon larut dan mengendap, membentuk tabung nano. "Efek kepadatan" dan gaya van der Waals di antara tabung-tabung yang berdekatan memaksa tabung-tabung tersebut tumbuh dalam kesejajaran vertikal yang berorientasi mandiri, membentuk struktur padat seperti hutan.

8. Kontrol Kualitas & Data Pengujian

Kontrol Morfologi:​ Pencitraan SEM mengonfirmasi keseragaman, tinggi, dan kepadatan penyelarasan untuk setiap batch.

Integritas Struktural:​ Spektroskopi Raman (rasio pita G/D > 10) menegaskan kualitas grafit yang tinggi dan kepadatan cacat yang rendah.

Validasi Listrik:​ Pengujian probe 4 titik internal memverifikasi nilai resistansi dan resistivitas lembaran, dengan data yang disediakan dalam Certificate of Analysis (CoA).

Konsistensi Batch:​Kontrol Proses Statistik (SPC) diterapkan untuk memastikan variasi minimal dalam parameter utama (tinggi, resistansi) di seluruh wafer dan dari batch ke batch.

9. Pengemasan

Untuk melindungi struktur halus dan selaras selama pengiriman dan penyimpanan:

Kemasan Utama:​ Substrat dengan susunan CNT dipasang dengan aman di wadah wafer-presisi tinggi atau baki-vakum-yang dirancang khusus dan tertutup rapat.

Kemasan Sekunder:​ Ditempatkan di dalam kantong aluminium anti-kelembaban yang tertutup rapat dan dilengkapi pengering.

Kemasan Tersier:​ Dikirim dalam kotak-penyerap guncangan yang diperkuat untuk mencegah kerusakan mekanis.

10. Kekuatan Perusahaan

TANFENG adalah pemimpin yang diakui secara global dalam sintesis struktur nano karbon canggih. Fasilitas ruang bersih Kelas 100 kami yang tercanggih memiliki reaktor pertumbuhan susunan CNT yang-dibuat khusus dan-luas. Dengan tim berdedikasi yang terdiri dari ilmuwan dan insinyur tingkat PhD-, kami telah memelopori-peningkatan susunan CNT-berkualitas tinggi mulai dari rasa ingin tahu di laboratorium hingga produk yang layak secara komersial. Kami memegang banyak paten pada desain katalis dan proses pertumbuhan, memungkinkan kami memberikan kinerja dan penyesuaian produk yang tak tertandingi untuk memenuhi persyaratan aplikasi yang paling menuntut. Komitmen kami terhadap Penelitian dan Pengembangan memastikan bahwa kami tetap menjadi yang terdepan dalam teknologi rangkaian CNT.

Tag populer: array cnt, produsen, pemasok, pabrik array cnt Cina, Array karbon nanotube, Karbon nanotube vertikal array vacnts, Nanotube karbon logam, Array Nanotube Karbon Bertembok Multi, Harga nanotube karbon multi berdinding, CNT murni